Typ: Interne SSD • Schnittstelle: NVMe — PCIe 4.0 x4 • Formfaktor: M.2 2280 (M-Key)
Leistung
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Sequenzielles Lesen: bis zu 7.450 MB/s
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Sequenzielles Schreiben: bis zu 6.900 MB/s
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Zufälliges Lesen 4K (QD32): bis zu 1.400.000 IOPS
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Zufälliges Schreiben 4K (QD32): bis zu 1.550.000 IOPS
Langlebigkeit & Garantie
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Langlebigkeit (TBW): 1.200 TBW (2 TB Modell)
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Garantie: 5 Jahre (Herstellergarantie)
Hauptmerkmale
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Samsung V-NAND (TLC) Speicher + DRAM-Cache (je nach Kapazität).
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Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., Hardware-Verschlüsselung (AES 256-Bit, TCG Opal / IEEE1667 je nach Unterstützung).
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Optimiertes Wärmemanagement und Energieeffizienz (je nach Version / Firmware).
Kompatibilität
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Erforderlicher Steckplatz: M.2 NVMe (PCIe)
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Abwärtskompatibel mit PCIe 3.0 (reduzierte Geschwindigkeiten)
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Nicht kompatibel mit M.2 SATA Steckplätzen.


